侧墙结构及其形成方法

侧墙安排及其模型方法

【显露摘要】本发明才能现在时的一种侧墙安排及其模型方法,在所述栅手段层和栅极的安博模型多个结成侧墙,所述结成侧墙包孕第一侧墙和瞬间侧墙;隐情去除所述瞬间侧墙,使两个近乎的第一侧墙经过在张开,裁短栅极与静止半导体装置或金属C经过的电容,由此可以增殖半导体装置的返回速率,裁短拉力损耗。

【显露阐明】侧墙安排及其模型方法

【技术掷还】
[0001]本发明才能关涉半导体创造掷还,更关涉一种侧墙安排及其模型方法。

【环境技术】
[0002]跟随半导体装置特点测量法的继续裁短,类似区域内模型的稳固总共举起,于是,半导体装置经过或栅极A经过的电容。通常事件下,半导体装置的返回速率首要是鉴于栅极推延(11:6 061^7)和暗号扩大推延06137),扩大推延也称为%推延,我?是用金箔装饰的阻力,内地的手段层模型的电容。跟随电容的举起,半导体装置正中鹄的长推延,就是,半导体装置的返回速率裁短了,同时,电容越大,半导体装置的拉力损耗越大。。
[0003]咨询图1。,在现存的技术中,半导体装置安排包孕:半导体 ;半导体基板使成平面模型的栅氧化物层20和栅30 ;模型于所述栅氧化物层20和栅极30安博的侧墙40。
[0004]就中,所述侧墙40的材质通常为充氮硅,它的代价高级的,跟随半导体装置密度的举起,半导体装置经过或栅极与衔接经过的电容,这么多少减小电容,增殖半导体装置的返回速率,裁短拉力损耗便相称本掷还工匠迫使处理的技术成绩。

【发明才能质地】

[0005]本发明才能的踢向取决于试图一种侧墙安排及其模型方法,半导体装置经过或栅极与衔接件经过的电容减小。
[0006]成功是你这么说的嘛!目的,本发明才能现在时的一种侧墙的模型方法,包孕行走
[0007]试图半导体基板,在半导体上递模型栅极介电层和栅极。;
[0008]在所述栅手段层和栅极的安博模型反正一结成侧墙,每一所述结成侧墙均包孕一第一侧墙和一瞬间侧墙,所述瞬间侧墙定居所述第一侧墙经过;
[0009]受腐蚀的部位去除所述瞬间侧墙,使所述第一侧墙经过呈现张开。
[0010]额外的的,在所述侧墙的模型方法中,所述结成侧墙的总计为1?10个。
[0011]额外的的,在所述侧墙的模型方法中,所述第一侧墙的材质为充氮硅。
[0012]额外的的,在所述侧墙的模型方法中,所述第一侧墙的厚度范畴是10埃?200埃。
[0013]额外的的,在所述侧墙的模型方法中,所述瞬间侧墙的材质为锗硅。
[0014]额外的的,在所述侧墙的模型方法中,锗硅中锗原子占10%?90%。
[0015]额外的的,在所述侧墙的模型方法中,所述瞬间侧墙的厚度范畴是10埃?200埃。
[0016]额外的的,在所述侧墙的模型方法中,受腐蚀的部位去除所述瞬间侧墙运用的汽油为!101、至此为止、012或就中一或多个2。
[0017]额外的的,在所述侧墙的模型方法中,在受腐蚀的部位去除所述瞬间侧墙以前,在所述结成侧墙和半导体衬底使成平面模型层间手段层。
[0018]额外的的,在所述侧墙的模型方法中,半导体基板由硅制成。。
[0019]额外的的,本发明才能还现在时的一种侧墙安排,经过是你这么说的嘛!随便哪一个方法模型,所述侧墙安排包孕:
[0020]半导体子晶体管;在半导体上递模型栅极介电层和栅极。;模型在所述栅手段层和栅极安博的多个第一侧墙,所述第一侧墙经过模型有张开。
[0021]与现存的技术相形,本发明才能的无益音响效果首要表现在:在所述栅手段层和栅极的安博模型多个结成侧墙,所述结成侧墙包孕第一侧墙和瞬间侧墙;隐情去除所述瞬间侧墙,使两个近乎的第一侧墙经过在张开,裁短栅极与静止半导体装置或金属C经过的电容,由此可以增殖半导体装置的返回速率,裁短拉力损耗。

【显露制图】

[制图正文]
[0022]图1为现存的技术中半导体装置的安排部分示意图;
[0023]图2为本发明才能一施行例中侧墙模型方法的使泛滥图;
[0024]图3-图7为本发明才能一施行例中侧墙模型追逐正中鹄的安排部分示意图。

【某一事项施行方法】
[0025]以下合并的附图和某一事项施行例对本发明才能现在时的的侧墙安排及其模型方法作额外的某一事项阐明。地面以下阐明和查问,本发明才能的优点和特点将整个情况清晰地。需阐明的是,这些制图的花样极复杂,反比例都不正确。,仅为附近的起见、本发明才能施行例的踢向尖锐的有助于。
[0026]咨询图2。,在这时施行例中,现在时的一种侧墙的模型方法,包孕行走
[0027]8100:试图半导体基板10,在SE上递模型栅极介电层200和栅极300。,如图3所示;
[0028]就中,半导体基板可以是单晶硅。、多晶体硅或绝缘体上的硅;栅极介电层200由二氧化物硅制成。;栅极300可以是多晶体硅栅极或金属栅极。。
[0029]8200:在所述栅手段层200和栅极300的安博模型反正一结成侧墙,每一组所述结成侧墙均包孕第一侧墙400和瞬间侧墙500,所述瞬间侧墙500定居所述第一侧墙400经过;
[0030]某一事项的,多个所述结成侧墙的模型方法列举如下:
[0031]率先,在所述栅手段层200和栅极300的安博模型所述第一侧墙400,如图3所示;所述第一侧墙400的材质为充氮硅,它的厚度范畴是10A?200安,像,50 A。;
[0032]隐情,在所述第一侧墙400的安博模型所述瞬间侧墙500,如图4所示;所述瞬间侧墙500的材质为锗硅,就中,锗和硅的锗原子占10%?90%,所述瞬间侧墙500的厚度范畴是10埃?200埃,像,50 A。;
[0033]隐情,在所述瞬间侧墙500的安博模型所述第一侧墙400,如图5所示;异样的,所述第一侧墙400的材质为充氮硅,它的厚度范畴是10A?200安,像,50 A。;
[0034]隐情,在所述第一侧墙400的安博模型所述瞬间侧墙500,如图6所示;所述瞬间侧墙500的材质为锗硅,就中,锗和硅的锗原子占10%?90%,所述瞬间侧墙500的厚度范畴是10埃?200埃,像,50 A。。
[0035]所述结成侧墙的总计为1?10个,某一事项号码可地面使泛滥选择。
[0036]8300:受腐蚀的部位去除所述瞬间侧墙500,使所述第一侧墙400经过呈现张开600,如图7所示;
[0037]就中,受腐蚀的部位去除所述瞬间侧墙500运用的汽油以此1、耶012或就中一或多个2;去除所述瞬间侧墙500以前,所述第一侧墙400经过呈现张开可以作为侧墙;因差别手段的电容率差别,电手段值越小,电容越小,电容越小,太空值是,尽量的推论的中最小量的,空气的V值也很小。运用张开作为侧墙可以很大成绩等级的裁短栅极与静止半导体装置或金属衔接线经过的电容。
[0038]在这时施行例中,在受腐蚀的部位去除所述瞬间侧墙500以前,在所述结成侧墙和半导体衬底100使成平面模型层间手段层(图未不
[0039]在这时施行例中,还现在时的一种侧墙安排,用是你这么说的嘛!方法模型,所述侧墙安排包孕:
[0040]半导体基板10 ;在半导体基板上模型的栅极介电层200和栅极300 ;模型在所述栅手段层200和栅极300安博的多个第一侧墙400,所述第一侧墙400经过模型有张开600。
[0041〕 综上,在本发明才能施行例试图的侧墙安排及其模型方法中,在所述栅手段层和栅极的安博模型多个结成侧墙,所述结成侧墙包孕第一侧墙和瞬间侧墙;隐情去除所述瞬间侧墙,使两个近乎的第一侧墙经过在张开,裁短栅极与静止半导体装置或金属C经过的电容,由此可以增殖半导体装置的返回速率,裁短拉力损耗。
[0042]是你这么说的嘛!仅为本发明才能的受先鞭偿还的字幕施行例罢了,它无能力的以随便哪一个方法限度局限发明才能。属于[技术掷还]的随便哪一个工匠,在本发明才能技术预调范畴内,技术预调A的随便哪一个花样的相当的交换或修正,整个属于本装饰展现技术预调的质地。,仍在本发明才能的辩护范畴内。
[原告]
1.一种侧墙的模型方法,包孕行走 试图半导体基板,在半导体上递模型栅极介电层和栅极。; 在所述栅手段层和栅极的安博模型反正一结成侧墙,每一所述结成侧墙均包孕一第一侧墙和一瞬间侧墙,所述瞬间侧墙定居所述第一侧墙经过; 受腐蚀的部位去除所述瞬间侧墙,使所述第一侧墙经过呈现张开。
2.如字幕查问1所述的侧墙的模型方法,其特点取决于,所述结成侧墙的总计为1?10个。
3.如字幕查问1所述的侧墙的模型方法,其特点取决于,所述第一侧墙的材质为充氮硅。
4.如字幕查问3所述的侧墙的模型方法,其特点取决于,所述第一侧墙的厚度范畴是10埃?200埃。
5.如字幕查问1所述的侧墙的模型方法,其特点取决于,所述瞬间侧墙的材质为锗硅。
6.如字幕查问5所述的侧墙的模型方法,其特点取决于,锗硅中锗原子占10%?90%。
7.如字幕查问5所述的侧墙的模型方法,其特点取决于,所述瞬间侧墙的厚度范畴是10埃?200埃。
8.如字幕查问1所述的侧墙的模型方法,其特点取决于,受腐蚀的部位去除所述瞬间侧墙运用的汽油为!101、或就中一或多个2。
9.如字幕查问1所述的侧墙的模型方法,其特点取决于,在受腐蚀的部位去除所述瞬间侧墙以前,在所述结成侧墙和半导体衬底使成平面模型层间手段层。
10.如字幕查问1所述的侧墙的模型方法,其特点取决于,半导体基板由硅制成。。
11.一种侧墙安排,采取10种方法正中鹄的随便哪一个一种来模型,所述侧墙安排包孕: 半导体衬底;在半导体上递模型栅极介电层和栅极。;模型在所述栅手段层和栅极安博的多个第一侧墙,所述第一侧墙经过模型有张开。
【文档编号】H01L29/423GK104425230SQ201310407966
【吐艳日】2015年3月18日 运用日期:201年9月9日 先鞭日期:201年9月9日
【发明才能人】余国斌 运用人:中新国际集成电路创造(上海)

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