侧墙结构及其形成方法

侧墙和解及其组织方法

【专利的摘要】本设计礼物一种侧墙和解及其组织方法,在所述栅平均的层和栅极的安博组织多个结成侧墙,所述结成侧墙包孕第一侧墙和居第二位的侧墙;赶上去除所述居第二位的侧墙,使两个邻近的第一侧墙当中在清扫,压下栅极与以此类推半导体装置或金属C当做成某事电容,像这样可以附带说明半导体装置的反映速率,压下气压消耗。

【专利的阐明】侧墙和解及其组织方法

【技术包围】
[0001]本设计关涉半导体创造包围,异常地关涉一种侧墙和解及其组织方法。

【语境技术】
[0002]跟随半导体装置特点上涂料的继续压下,异样区域内组织的知识编号附带说明,终于,半导体装置当中或栅极A当做成某事电容。通常局面下,半导体装置的反映速率次要是鉴于栅极推延(11:6 061^7)和用枪打猎散布推延06137),散布推延也称为%推延,我?是牵线的抵抗,室内的平均的层组织的电容。跟随电容的附带说明,半导体装置做成某事长推延,就是,半导体装置的反映速率压下了,同时,电容越大,半导体装置的气压消耗越大。。
[0003]咨询图1。,在存在技术中,半导体装置和解包孕:半导体 ;半导体基板对付组织的栅变成氧化的层20和栅30 ;组织于所述栅变成氧化的层20而且栅极30安博的侧墙40。
[0004]到达,所述侧墙40的材质通常为充氮硅,它的使丧失高尚的,跟随半导体装置密度的附带说明,半导体装置当中或栅极与衔接当做成某事电容,这么以普通的方法减小电容,附带说明半导体装置的反映速率,压下气压消耗便相当本包围工匠急用处理的技术成绩。

【设计使满意】

[0005]本设计的出击目的坐落粮食一种侧墙和解及其组织方法,半导体装置当中或栅极与衔接件当做成某事电容减小。
[0006]变卖上述的目的,本设计礼物一种侧墙的组织方法,包孕接近
[0007]粮食半导体基板,在半导体上顺次组织栅极介电层和栅极。;
[0008]在所述栅平均的层和栅极的安博组织至多一结成侧墙,每一所述结成侧墙均包孕一第一侧墙和一居第二位的侧墙,所述居第二位的侧墙坐落所述第一侧墙当中;
[0009]腐蚀去除所述居第二位的侧墙,使所述第一侧墙当中呈现清扫。
[0010]进一步地的,在所述侧墙的组织方法中,所述结成侧墙的号码为1?10个。
[0011]进一步地的,在所述侧墙的组织方法中,所述第一侧墙的材质为充氮硅。
[0012]进一步地的,在所述侧墙的组织方法中,所述第一侧墙的厚度射程是10埃?200埃。
[0013]进一步地的,在所述侧墙的组织方法中,所述居第二位的侧墙的材质为锗硅。
[0014]进一步地的,在所述侧墙的组织方法中,锗硅中锗原子占10%?90%。
[0015]进一步地的,在所述侧墙的组织方法中,所述居第二位的侧墙的厚度射程是10埃?200埃。
[0016]进一步地的,在所述侧墙的组织方法中,腐蚀去除所述居第二位的侧墙运用的放出气体为!101、至此为止、012或到达一或多个2。
[0017]进一步地的,在所述侧墙的组织方法中,在腐蚀去除所述居第二位的侧墙后来的,在所述结成侧墙而且半导体衬底对付组织层间平均的层。
[0018]进一步地的,在所述侧墙的组织方法中,半导体基板由硅制成。。
[0019]进一步地的,本设计还礼物一种侧墙和解,经过上述的普通的方法组织,所述侧墙和解包孕:
[0020]半导体子晶体管;在半导体上顺次组织栅极介电层和栅极。;组织在所述栅平均的层和栅极安博的多个第一侧墙,所述第一侧墙当中组织有清扫。
[0021]与存在技术相形,本设计的惠及后果次要表现在:在所述栅平均的层和栅极的安博组织多个结成侧墙,所述结成侧墙包孕第一侧墙和居第二位的侧墙;赶上去除所述居第二位的侧墙,使两个邻近的第一侧墙当中在清扫,压下栅极与以此类推半导体装置或金属C当做成某事电容,像这样可以附带说明半导体装置的反映速率,压下气压消耗。

【专利的计划大纲】

[计划大纲正文]
[0022]图1为存在技术中半导体装置的和解轮廓示意图;
[0023]图2为本设计一落实例中侧墙组织方法的流图;
[0024]图3-图7为本设计一落实例中侧墙组织转换做成某事和解轮廓示意图。

【详细情节落实方法】
[0025]以下合并附图和详细情节落实例对本设计礼物的侧墙和解及其组织方法作进一步地详细情节阐明。着陆以下阐明和命令,本设计的优点和特点将整个整整。需阐明的是,这些计划大纲的整队充分简略,测量都不正确。,仅为附近的起见、本设计落实例的出击目的猛烈地有助于。
[0026]参观图2。,在这样地落实例中,礼物一种侧墙的组织方法,包孕接近
[0027]8100:粮食半导体基板10,在SE上顺次组织栅极介电层200和栅极300。,如图3所示;
[0028]到达,半导体基板可以是单晶硅。、多晶体硅或隔离者上的硅;栅极介电层200由二变成氧化的硅制成。;栅极300可以是多晶体硅栅极或金属栅极。。
[0029]8200:在所述栅平均的层200和栅极300的安博组织至多一结成侧墙,每一组所述结成侧墙均包孕第一侧墙400和居第二位的侧墙500,所述居第二位的侧墙500坐落所述第一侧墙400当中;
[0030]详细情节的,多个所述结成侧墙的组织方法如次:
[0031]率先,在所述栅平均的层200和栅极300的安博组织所述第一侧墙400,如图3所示;所述第一侧墙400的材质为充氮硅,它的厚度射程是10A?200安,譬如,50 A。;
[0032]赶上,在所述第一侧墙400的安博组织所述居第二位的侧墙500,如图4所示;所述居第二位的侧墙500的材质为锗硅,到达,锗和硅的锗原子占10%?90%,所述居第二位的侧墙500的厚度射程是10埃?200埃,譬如,50 A。;
[0033]赶上,在所述居第二位的侧墙500的安博组织所述第一侧墙400,如图5所示;异样的,所述第一侧墙400的材质为充氮硅,它的厚度射程是10A?200安,譬如,50 A。;
[0034]赶上,在所述第一侧墙400的安博组织所述居第二位的侧墙500,如图6所示;所述居第二位的侧墙500的材质为锗硅,到达,锗和硅的锗原子占10%?90%,所述居第二位的侧墙500的厚度射程是10埃?200埃,譬如,50 A。。
[0035]所述结成侧墙的号码为1?10个,详细情节号码可着陆流选择。
[0036]8300:腐蚀去除所述居第二位的侧墙500,使所述第一侧墙400当中呈现清扫600,如图7所示;
[0037]到达,腐蚀去除所述居第二位的侧墙500运用的放出气体因此1、耶012或到达一或多个2;去除所述居第二位的侧墙500后来的,所述第一侧墙400当中呈现清扫可以作为侧墙;由于不一样平均的的介电系数不一样,电平均的值越小,电容越小,电容越小,空虚值是,持有违禁物钱中极小值的,空气的V值也很小。运用清扫作为侧墙可以很大学位的压下栅极与以此类推半导体装置或金属衔接线当做成某事电容。
[0038]在这样地落实例中,在腐蚀去除所述居第二位的侧墙500后来的,在所述结成侧墙而且半导体衬底100对付组织层间平均的层(图未不
[0039]在这样地落实例中,还礼物一种侧墙和解,伸出述的方法组织,所述侧墙和解包孕:
[0040]半导体基板10 ;在半导体基板上组织的栅极介电层200和栅极300 ;组织在所述栅平均的层200和栅极300安博的多个第一侧墙400,所述第一侧墙400当中组织有清扫600。
[0041〕 综上,在本设计落实例粮食的侧墙和解及其组织方法中,在所述栅平均的层和栅极的安博组织多个结成侧墙,所述结成侧墙包孕第一侧墙和居第二位的侧墙;赶上去除所述居第二位的侧墙,使两个邻近的第一侧墙当中在清扫,压下栅极与以此类推半导体装置或金属C当做成某事电容,像这样可以附带说明半导体装置的反映速率,压下气压消耗。
[0042]上述的仅为本设计的偏爱落实例一三国际,它不会的以普通的方法限度局限设计。属于[技术包围]的普通的工匠,在本设计技术体系射程内,技术体系A的普通的整队的相当的掉换或修正,整个属于本授予冠词技术体系的使满意。,仍在本设计的谨慎使用射程内。
[债权]
1.一种侧墙的组织方法,包孕接近 粮食半导体基板,在半导体上顺次组织栅极介电层和栅极。; 在所述栅平均的层和栅极的安博组织至多一结成侧墙,每一所述结成侧墙均包孕一第一侧墙和一居第二位的侧墙,所述居第二位的侧墙坐落所述第一侧墙当中; 腐蚀去除所述居第二位的侧墙,使所述第一侧墙当中呈现清扫。
2.如使参与命令1所述的侧墙的组织方法,其特点坐落,所述结成侧墙的号码为1?10个。
3.如使参与命令1所述的侧墙的组织方法,其特点坐落,所述第一侧墙的材质为充氮硅。
4.如使参与命令3所述的侧墙的组织方法,其特点坐落,所述第一侧墙的厚度射程是10埃?200埃。
5.如使参与命令1所述的侧墙的组织方法,其特点坐落,所述居第二位的侧墙的材质为锗硅。
6.如使参与命令5所述的侧墙的组织方法,其特点坐落,锗硅中锗原子占10%?90%。
7.如使参与命令5所述的侧墙的组织方法,其特点坐落,所述居第二位的侧墙的厚度射程是10埃?200埃。
8.如使参与命令1所述的侧墙的组织方法,其特点坐落,腐蚀去除所述居第二位的侧墙运用的放出气体为!101、或到达一或多个2。
9.如使参与命令1所述的侧墙的组织方法,其特点坐落,在腐蚀去除所述居第二位的侧墙后来的,在所述结成侧墙而且半导体衬底对付组织层间平均的层。
10.如使参与命令1所述的侧墙的组织方法,其特点坐落,半导体基板由硅制成。。
11.一种侧墙和解,采取10种方法做成某事普通的一种来组织,所述侧墙和解包孕: 半导体衬底;在半导体上顺次组织栅极介电层和栅极。;组织在所述栅平均的层和栅极安博的多个第一侧墙,所述第一侧墙当中组织有清扫。
【文档编号】H01L29/423GK104425230SQ201310407966
【吐艳日】2015年3月18日 自找麻烦日期:201年9月9日 最初的日期:201年9月9日
【设计人】余国斌 自找麻烦人:中新国际集成电路创造(上海)

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