侧墙结构及其形成方法

侧墙构架及其构成办法

【专利品摘要】本策划建议一种侧墙构架及其构成办法,在所述栅半生熟的层和栅极的安博构成多个结成侧墙,所述结成侧墙包含第一侧墙和其次侧墙;争吵去除所述其次侧墙,使两个毗连的的第一侧墙经过在分歧,使沮丧栅极与另一边半导体装置或金属C经过的电容,拿 … 来说可以提出半导体装置的反馈噪音速率,使沮丧使紧张损耗。

【专利品阐明】侧墙构架及其构成办法

【技术领地】
[0001]本策划关涉半导体创造领地,异常地关涉一种侧墙构架及其构成办法。

【背景幕布技术】
[0002]跟随半导体装置特点测量法的继续使沮丧,异样的人区域内构成的装置量子增添,去,半导体装置经过或栅极A经过的电容。通常处境下,半导体装置的反馈噪音速率次要是鉴于栅极推延(11:6 061^7)和枪信息推延06137),信息推延也称为%推延,我?是闪亮的的抗力,在室内应用的半生熟的层构成的电容。跟随电容的增添,半导体装置说得中肯长推延,就是,半导体装置的反馈噪音速率使沮丧了,同时,电容越大,半导体装置的使紧张损耗越大。。
[0003]指的是图1。,在存在技术中,半导体装置构架包含:半导体 ;半导体基板外面构成的栅使生锈层20和栅30 ;构成于所述栅使生锈层20随着栅极30安博的侧墙40。
[0004]当选,所述侧墙40的材质通常为渗氮硅,它的重要性高地的,跟随半导体装置密度的增添,半导体装置经过或栅极与衔接经过的电容,这么若何减小电容,提出半导体装置的反馈噪音速率,使沮丧使紧张损耗便变得本领地技工严密的处理的技术成绩。

【策划目录】

[0005]本策划的宾格相信布置一种侧墙构架及其构成办法,半导体装置经过或栅极与衔接件经过的电容减小。
[0006]成功前述的目的,本策划建议一种侧墙的构成办法,包含步调
[0007]布置半导体基板,在半导体上授权代理构成栅极介电层和栅极。;
[0008]在所述栅半生熟的层和栅极的安博构成反正独一结成侧墙,每一所述结成侧墙均包含一第一侧墙和一其次侧墙,所述其次侧墙谎言所述第一侧墙经过;
[0009]锈蚀去除所述其次侧墙,使所述第一侧墙经过呈现分歧。
[0010]更远的的,在所述侧墙的构成办法中,所述结成侧墙的数字为1?10个。
[0011]更远的的,在所述侧墙的构成办法中,所述第一侧墙的材质为渗氮硅。
[0012]更远的的,在所述侧墙的构成办法中,所述第一侧墙的厚度审视是10埃?200埃。
[0013]更远的的,在所述侧墙的构成办法中,所述其次侧墙的材质为锗硅。
[0014]更远的的,在所述侧墙的构成办法中,锗硅中锗原子占10%?90%。
[0015]更远的的,在所述侧墙的构成办法中,所述其次侧墙的厚度审视是10埃?200埃。
[0016]更远的的,在所述侧墙的构成办法中,锈蚀去除所述其次侧墙应用的汽油为!101、至某一度数、012或当选独一或多个2。
[0017]更远的的,在所述侧墙的构成办法中,在锈蚀去除所述其次侧墙后来的,在所述结成侧墙随着半导体衬底外面构成层间半生熟的层。
[0018]更远的的,在所述侧墙的构成办法中,半导体基板由硅制成。。
[0019]更远的的,本策划还建议一种侧墙构架,经过前述的一些办法构成,所述侧墙构架包含:
[0020]半导体子晶体管;在半导体上授权代理构成栅极介电层和栅极。;构成在所述栅半生熟的层和栅极安博的多个第一侧墙,所述第一侧墙经过构成有分歧。
[0021]与存在技术比拟,本策划的惠及发生次要表现在:在所述栅半生熟的层和栅极的安博构成多个结成侧墙,所述结成侧墙包含第一侧墙和其次侧墙;争吵去除所述其次侧墙,使两个毗连的的第一侧墙经过在分歧,使沮丧栅极与另一边半导体装置或金属C经过的电容,拿 … 来说可以提出半导体装置的反馈噪音速率,使沮丧使紧张损耗。

【专利品计划大纲】

[计划大纲正文]
[0022]图1为存在技术中半导体装置的构架部分示意图;
[0023]图2为本策划一工具例中侧墙构成办法的流出图;
[0024]图3-图7为本策划一工具例中侧墙构成课程说得中肯构架部分示意图。

【明细的工具办法】
[0025]以下用联合收割机收割附图和明细的工具例对本策划建议的侧墙构架及其构成办法作更远的明细的阐明。基本原则以下阐明和邀请,本策划的优点和特点将各种的明晰。需阐明的是,这些计划大纲的版式特别的简略,攀登都不正确。,仅为手边的起见、本策划工具例的宾格狡猾的有助于。
[0026]参观图2。,在大约工具例中,建议一种侧墙的构成办法,包含步调
[0027]8100:布置半导体基板10,在SE上授权代理构成栅极介电层200和栅极300。,如图3所示;
[0028]当选,半导体基板可以是单晶硅。、多晶体硅或绝缘体上的硅;栅极介电层200由二使生锈硅制成。;栅极300可以是多晶体硅栅极或金属栅极。。
[0029]8200:在所述栅半生熟的层200和栅极300的安博构成反正独一结成侧墙,每一组所述结成侧墙均包含第一侧墙400和其次侧墙500,所述其次侧墙500谎言所述第一侧墙400经过;
[0030]明细的的,多个所述结成侧墙的构成办法如次:
[0031]率先,在所述栅半生熟的层200和栅极300的安博构成所述第一侧墙400,如图3所示;所述第一侧墙400的材质为渗氮硅,它的厚度审视是10A?200安,拿 … 来说,50 A。;
[0032]争吵,在所述第一侧墙400的安博构成所述其次侧墙500,如图4所示;所述其次侧墙500的材质为锗硅,当选,锗和硅的锗原子占10%?90%,所述其次侧墙500的厚度审视是10埃?200埃,拿 … 来说,50 A。;
[0033]争吵,在所述其次侧墙500的安博构成所述第一侧墙400,如图5所示;异样的,所述第一侧墙400的材质为渗氮硅,它的厚度审视是10A?200安,拿 … 来说,50 A。;
[0034]争吵,在所述第一侧墙400的安博构成所述其次侧墙500,如图6所示;所述其次侧墙500的材质为锗硅,当选,锗和硅的锗原子占10%?90%,所述其次侧墙500的厚度审视是10埃?200埃,拿 … 来说,50 A。。
[0035]所述结成侧墙的数字为1?10个,明细的号码可基本原则流出选择。
[0036]8300:锈蚀去除所述其次侧墙500,使所述第一侧墙400经过呈现分歧600,如图7所示;
[0037]当选,锈蚀去除所述其次侧墙500应用的汽油为了这个目的1、耶012或当选独一或多个2;去除所述其次侧墙500后来的,所述第一侧墙400经过呈现分歧可以作为侧墙;因差异半生熟的的介电系数差异,电半生熟的值越小,电容越小,电容越小,空缺着的值是,拥有填塞中最小的的,空气的V值也很小。应用分歧作为侧墙可以很大度数的使沮丧栅极与另一边半导体装置或金属衔接线经过的电容。
[0038]在大约工具例中,在锈蚀去除所述其次侧墙500后来的,在所述结成侧墙随着半导体衬底100外面构成层间半生熟的层(图未不
[0039]在大约工具例中,还建议一种侧墙构架,用前述的办法构成,所述侧墙构架包含:
[0040]半导体基板10 ;在半导体基板上构成的栅极介电层200和栅极300 ;构成在所述栅半生熟的层200和栅极300安博的多个第一侧墙400,所述第一侧墙400经过构成有分歧600。
[0041〕 综上,在本策划工具例布置的侧墙构架及其构成办法中,在所述栅半生熟的层和栅极的安博构成多个结成侧墙,所述结成侧墙包含第一侧墙和其次侧墙;争吵去除所述其次侧墙,使两个毗连的的第一侧墙经过在分歧,使沮丧栅极与另一边半导体装置或金属C经过的电容,拿 … 来说可以提出半导体装置的反馈噪音速率,使沮丧使紧张损耗。
[0042]前述的仅为本策划的受宁愿偿还的字幕工具例一三国际,它将不会以一些方法限度局限策划。属于[技术领地]的一些技工,在本策划技术制作节目审视内,技术制作节目A的一些版式的对等物掉换或修正,整个属于本装饰同上技术制作节目的目录。,仍在本策划的保卫审视内。
[理赔]
1.一种侧墙的构成办法,包含步调 布置半导体基板,在半导体上授权代理构成栅极介电层和栅极。; 在所述栅半生熟的层和栅极的安博构成反正独一结成侧墙,每一所述结成侧墙均包含一第一侧墙和一其次侧墙,所述其次侧墙谎言所述第一侧墙经过; 锈蚀去除所述其次侧墙,使所述第一侧墙经过呈现分歧。
2.如字幕邀请1所述的侧墙的构成办法,其特点相信,所述结成侧墙的数字为1?10个。
3.如字幕邀请1所述的侧墙的构成办法,其特点相信,所述第一侧墙的材质为渗氮硅。
4.如字幕邀请3所述的侧墙的构成办法,其特点相信,所述第一侧墙的厚度审视是10埃?200埃。
5.如字幕邀请1所述的侧墙的构成办法,其特点相信,所述其次侧墙的材质为锗硅。
6.如字幕邀请5所述的侧墙的构成办法,其特点相信,锗硅中锗原子占10%?90%。
7.如字幕邀请5所述的侧墙的构成办法,其特点相信,所述其次侧墙的厚度审视是10埃?200埃。
8.如字幕邀请1所述的侧墙的构成办法,其特点相信,锈蚀去除所述其次侧墙应用的汽油为!101、或当选独一或多个2。
9.如字幕邀请1所述的侧墙的构成办法,其特点相信,在锈蚀去除所述其次侧墙后来的,在所述结成侧墙随着半导体衬底外面构成层间半生熟的层。
10.如字幕邀请1所述的侧墙的构成办法,其特点相信,半导体基板由硅制成。。
11.一种侧墙构架,采取10种办法说得中肯一些一种来构成,所述侧墙构架包含: 半导体衬底;在半导体上授权代理构成栅极介电层和栅极。;构成在所述栅半生熟的层和栅极安博的多个第一侧墙,所述第一侧墙经过构成有分歧。
【文档编号】H01L29/423GK104425230SQ201310407966
【吐艳日】2015年3月18日 申请表格日期:201年9月9日 宁愿日期:201年9月9日
【策划人】余国斌 申请表格人:中新国际集成电路创造(上海)

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