侧墙结构及其形成方法

侧墙妥协及其构成方法

【专利证摘要】本捏造:内心捏造的东西提升一种侧墙妥协及其构成方法,在所述栅非传导性的层和栅极的安博构成多个结成侧墙,所述结成侧墙包孕第一侧墙和次要的侧墙;接连地去除所述次要的侧墙,使两个使使结合的第一侧墙暗中在中间,降低质量栅极与休息半导体装置或金属C暗打中电容,相应地可以增添半导体装置的反响率,降低质量紧张错过。

【专利证阐明】侧墙妥协及其构成方法

【技术场地】
[0001]本捏造:内心捏造的东西关涉半导体创造场地,异乎寻常地关涉一种侧墙妥协及其构成方法。

【底色技术】
[0002]跟随半导体装置特点重要的继续降低质量,完全相同的事物区域内构成的装备总计增添,这样,半导体装置暗中或栅极A暗打中电容。通常机遇下,半导体装置的反响速率次要是鉴于栅极推延(11:6 061^7)和以信号告知繁殖推延06137),繁殖推延也称为%推延,我?是秘密引线的阻力,国内的非传导性的层构成的电容。跟随电容的增添,半导体装置打中长推延,就是,半导体装置的反响率降低质量了,同时,电容越大,半导体装置的紧张错过越大。。
[0003]适用于图1。,在存在技术中,半导体装置妥协包孕:半导体 ;半导体基板外表构成的栅燃烧的层20和栅30 ;构成于所述栅燃烧的层20然后栅极30安博的侧墙40。
[0004]当选,所述侧墙40的材质通常为氮化的硅,它的重要性高等的,跟随半导体装置密度的增添,半导体装置暗中或栅极与衔接暗打中电容,这么方法减小电容,增添半导体装置的反响率,降低质量紧张错过便发生本场地技工精确的处理的技术成绩。

【捏造:内心捏造的东西容量】

[0005]本捏造:内心捏造的东西的行动躺在开价一种侧墙妥协及其构成方法,半导体装置暗中或栅极与衔接件暗打中电容减小。
[0006]应验前述的目的,本捏造:内心捏造的东西提升一种侧墙的构成方法,包孕着手处理
[0007]开价半导体基板,在半导体上成二列纵队构成栅极介电层和栅极。;
[0008]在所述栅非传导性的层和栅极的安博构成反正随便哪一个人结成侧墙,每一所述结成侧墙均包孕一第一侧墙和一次要的侧墙,所述次要的侧墙定居所述第一侧墙暗中;
[0009]受腐蚀的部位去除所述次要的侧墙,使所述第一侧墙暗中呈现中间。
[0010]更多的或附加的人或事物的,在所述侧墙的构成方法中,所述结成侧墙的标号为1?10个。
[0011]更多的或附加的人或事物的,在所述侧墙的构成方法中,所述第一侧墙的材质为氮化的硅。
[0012]更多的或附加的人或事物的,在所述侧墙的构成方法中,所述第一侧墙的厚度视野是10埃?200埃。
[0013]更多的或附加的人或事物的,在所述侧墙的构成方法中,所述次要的侧墙的材质为锗硅。
[0014]更多的或附加的人或事物的,在所述侧墙的构成方法中,锗硅中锗原子占10%?90%。
[0015]更多的或附加的人或事物的,在所述侧墙的构成方法中,所述次要的侧墙的厚度视野是10埃?200埃。
[0016]更多的或附加的人或事物的,在所述侧墙的构成方法中,受腐蚀的部位去除所述次要的侧墙应用的空谈为!101、至此为止、012或当选随便哪一个人或多个2。
[0017]更多的或附加的人或事物的,在所述侧墙的构成方法中,在受腐蚀的部位去除所述次要的侧墙随后,在所述结成侧墙然后半导体衬底外表构成层间非传导性的层。
[0018]更多的或附加的人或事物的,在所述侧墙的构成方法中,半导体基板由硅制成。。
[0019]更多的或附加的人或事物的,本捏造:内心捏造的东西还提升一种侧墙妥协,经过前述的随便哪一个方法构成,所述侧墙妥协包孕:
[0020]半导体子晶体管;在半导体上成二列纵队构成栅极介电层和栅极。;构成在所述栅非传导性的层和栅极安博的多个第一侧墙,所述第一侧墙暗中构成有中间。
[0021]与存在技术相形,本捏造:内心捏造的东西的无益印象次要表现在:在所述栅非传导性的层和栅极的安博构成多个结成侧墙,所述结成侧墙包孕第一侧墙和次要的侧墙;接连地去除所述次要的侧墙,使两个使使结合的第一侧墙暗中在中间,降低质量栅极与休息半导体装置或金属C暗打中电容,相应地可以增添半导体装置的反响率,降低质量紧张错过。

【专利证拉延用钢板】

[拉延用钢板正文]
[0022]图1为存在技术中半导体装置的妥协翼型示意图;
[0023]图2为本捏造:内心捏造的东西一履行例中侧墙构成方法的流畅图;
[0024]图3-图7为本捏造:内心捏造的东西一履行例中侧墙构成颠换打中妥协翼型示意图。

【独有的履行方法】
[0025]以下使结合附图和独有的履行例对本捏造:内心捏造的东西提升的侧墙妥协及其构成方法作更多的或附加的人或事物独有的阐明。主要成分以下阐明和请求,本捏造:内心捏造的东西的优点和特点将尽量的明晰。需阐明的是,这些拉延用钢板的模型不常见的简略,攀登都不正确。,仅为便于使用的起见、本捏造:内心捏造的东西履行例的行动完全地有助于。
[0026]主教权限图2。,在因此履行例中,提升一种侧墙的构成方法,包孕着手处理
[0027]8100:开价半导体基板10,在SE上成二列纵队构成栅极介电层200和栅极300。,如图3所示;
[0028]当选,半导体基板可以是单晶硅。、多晶体硅或绝缘上的硅;栅极介电层200由二燃烧的硅制成。;栅极300可以是多晶体硅栅极或金属栅极。。
[0029]8200:在所述栅非传导性的层200和栅极300的安博构成反正随便哪一个人结成侧墙,每一组所述结成侧墙均包孕第一侧墙400和次要的侧墙500,所述次要的侧墙500定居所述第一侧墙400暗中;
[0030]独有的的,多个所述结成侧墙的构成方法如次:
[0031]率先,在所述栅非传导性的层200和栅极300的安博构成所述第一侧墙400,如图3所示;所述第一侧墙400的材质为氮化的硅,它的厚度视野是10A?200安,诸如,50 A。;
[0032]接连地,在所述第一侧墙400的安博构成所述次要的侧墙500,如图4所示;所述次要的侧墙500的材质为锗硅,当选,锗和硅的锗原子占10%?90%,所述次要的侧墙500的厚度视野是10埃?200埃,诸如,50 A。;
[0033]接连地,在所述次要的侧墙500的安博构成所述第一侧墙400,如图5所示;同一的,所述第一侧墙400的材质为氮化的硅,它的厚度视野是10A?200安,诸如,50 A。;
[0034]接连地,在所述第一侧墙400的安博构成所述次要的侧墙500,如图6所示;所述次要的侧墙500的材质为锗硅,当选,锗和硅的锗原子占10%?90%,所述次要的侧墙500的厚度视野是10埃?200埃,诸如,50 A。。
[0035]所述结成侧墙的标号为1?10个,独有的号码可主要成分流畅选择。
[0036]8300:受腐蚀的部位去除所述次要的侧墙500,使所述第一侧墙400暗中呈现中间600,如图7所示;
[0037]当选,受腐蚀的部位去除所述次要的侧墙500应用的空谈因此1、耶012或当选随便哪一个人或多个2;去除所述次要的侧墙500随后,所述第一侧墙400暗中呈现中间能作为侧墙;由于区分非传导性的的介电系数区分,电非传导性的值越小,电容越小,电容越小,用真空吸尘器清扫值是,各种的适当人选中最低消费的,空气的V值也很小。应用中间作为侧墙能很大缓缓地变化或发展的降低质量栅极与休息半导体装置或金属衔接线暗打中电容。
[0038]在因此履行例中,在受腐蚀的部位去除所述次要的侧墙500随后,在所述结成侧墙然后半导体衬底100外表构成层间非传导性的层(图未不
[0039]在因此履行例中,还提升一种侧墙妥协,用前述的方法构成,所述侧墙妥协包孕:
[0040]半导体基板10 ;在半导体基板上构成的栅极介电层200和栅极300 ;构成在所述栅非传导性的层200和栅极300安博的多个第一侧墙400,所述第一侧墙400暗中构成有中间600。
[0041〕 综上,在本捏造:内心捏造的东西履行例开价的侧墙妥协及其构成方法中,在所述栅非传导性的层和栅极的安博构成多个结成侧墙,所述结成侧墙包孕第一侧墙和次要的侧墙;接连地去除所述次要的侧墙,使两个使使结合的第一侧墙暗中在中间,降低质量栅极与休息半导体装置或金属C暗打中电容,相应地可以增添半导体装置的反响率,降低质量紧张错过。
[0042]前述的仅为本捏造:内心捏造的东西的偏爱的事物履行例一三国际,它不熟练的以随便哪一个方法限度局限捏造:内心捏造的东西。属于[技术场地]的随便哪一个技工,在本捏造:内心捏造的东西技术谋划视野内,技术谋划A的随便哪一个模型的对等物掉换或修正,整个属于本花费同上技术谋划的容量。,仍在本捏造:内心捏造的东西的庇护视野内。
[原告]
1.一种侧墙的构成方法,包孕着手处理 开价半导体基板,在半导体上成二列纵队构成栅极介电层和栅极。; 在所述栅非传导性的层和栅极的安博构成反正随便哪一个人结成侧墙,每一所述结成侧墙均包孕一第一侧墙和一次要的侧墙,所述次要的侧墙定居所述第一侧墙暗中; 受腐蚀的部位去除所述次要的侧墙,使所述第一侧墙暗中呈现中间。
2.如利息请求1所述的侧墙的构成方法,其特点躺在,所述结成侧墙的标号为1?10个。
3.如利息请求1所述的侧墙的构成方法,其特点躺在,所述第一侧墙的材质为氮化的硅。
4.如利息请求3所述的侧墙的构成方法,其特点躺在,所述第一侧墙的厚度视野是10埃?200埃。
5.如利息请求1所述的侧墙的构成方法,其特点躺在,所述次要的侧墙的材质为锗硅。
6.如利息请求5所述的侧墙的构成方法,其特点躺在,锗硅中锗原子占10%?90%。
7.如利息请求5所述的侧墙的构成方法,其特点躺在,所述次要的侧墙的厚度视野是10埃?200埃。
8.如利息请求1所述的侧墙的构成方法,其特点躺在,受腐蚀的部位去除所述次要的侧墙应用的空谈为!101、或当选随便哪一个人或多个2。
9.如利息请求1所述的侧墙的构成方法,其特点躺在,在受腐蚀的部位去除所述次要的侧墙随后,在所述结成侧墙然后半导体衬底外表构成层间非传导性的层。
10.如利息请求1所述的侧墙的构成方法,其特点躺在,半导体基板由硅制成。。
11.一种侧墙妥协,采取10种方法打中随便哪一个一种来构成,所述侧墙妥协包孕: 半导体衬底;在半导体上成二列纵队构成栅极介电层和栅极。;构成在所述栅非传导性的层和栅极安博的多个第一侧墙,所述第一侧墙暗中构成有中间。
【文档编号】H01L29/423GK104425230SQ201310407966
【吐艳日】2015年3月18日 请求日期:201年9月9日 高音的日期:201年9月9日
【捏造:内心捏造的东西人】余国斌 请求人:中新国际集成电路创造(上海)

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