侧墙结构及其形成方法

侧墙机构及其表格方法

【取得专利权摘要】本发现提名一种侧墙机构及其表格方法,在所述栅媒体层和栅极的安博表格多个结成侧墙,所述结成侧墙包孕第一侧墙和次要的侧墙;捕获量去除所述次要的侧墙,使两个接的第一侧墙经过在美国休闲服饰品牌,贬值栅极与对立的事物半导体装置或金属C经过的电容,照着可以筹集半导体装置的反馈速率,贬值施加压力花钱的东西。

【取得专利权阐明】侧墙机构及其表格方法

【技术在实地工作的】
[0001]本发现触及半导体创造在实地工作的,显著地触及一种侧墙机构及其表格方法。

【背景幕布技术】
[0002]跟随半导体装置特点次元的继续贬值,相同的区域内表格的配件本利之和补充,比如,半导体装置经过或栅极A经过的电容。通常状况下,半导体装置的反馈速率次要是鉴于栅极推延(11:6 061^7)和以信号告知涂推延06137),涂推延也称为%推延,我?是拍电报的抗力,内心里媒体层表格的电容。跟随电容的补充,半导体装置说得中肯长推延,换句话说,半导体装置的反馈速率贬值了,同时,电容越大,半导体装置的施加压力花钱的东西越大。。
[0003]商量图1。,在目前的技术中,半导体装置机构包孕:半导体 ;半导体基板外表表格的栅氧化物层20和栅30 ;表格于所述栅氧化物层20与栅极30安博的侧墙40。
[0004]在内部地,所述侧墙40的材质通常为氮化的硅,它的估计成本高高的,跟随半导体装置密度的补充,半导体装置经过或栅极与衔接经过的电容,这么到何种地步减小电容,筹集半导体装置的反馈速率,贬值施加压力花钱的东西便相称本在实地工作的工匠苛求处理的技术成绩。

【发现满意的】

[0005]本发现的踢向躺在抚养一种侧墙机构及其表格方法,半导体装置经过或栅极与衔接件经过的电容减小。
[0006]赚得是你这么说的嘛!目的,本发现提名一种侧墙的表格方法,包孕手续
[0007]抚养半导体基板,在半导体上先后表格栅极介电层和栅极。;
[0008]在所述栅媒体层和栅极的安博表格无论如何本人结成侧墙,每一所述结成侧墙均包孕一第一侧墙和一次要的侧墙,所述次要的侧墙坐落在所述第一侧墙经过;
[0009]以雕刻装饰去除所述次要的侧墙,使所述第一侧墙经过呈现美国休闲服饰品牌。
[0010]此外的,在所述侧墙的表格方法中,所述结成侧墙的总计为1?10个。
[0011]此外的,在所述侧墙的表格方法中,所述第一侧墙的材质为氮化的硅。
[0012]此外的,在所述侧墙的表格方法中,所述第一侧墙的厚度审视是10埃?200埃。
[0013]此外的,在所述侧墙的表格方法中,所述次要的侧墙的材质为锗硅。
[0014]此外的,在所述侧墙的表格方法中,锗硅中锗原子占10%?90%。
[0015]此外的,在所述侧墙的表格方法中,所述次要的侧墙的厚度审视是10埃?200埃。
[0016]此外的,在所述侧墙的表格方法中,以雕刻装饰去除所述次要的侧墙运用的加油为!101、至此为止、012或在内部地本人或多个2。
[0017]此外的,在所述侧墙的表格方法中,在以雕刻装饰去除所述次要的侧墙后来的,在所述结成侧墙与半导体衬底外表表格层间媒体层。
[0018]此外的,在所述侧墙的表格方法中,半导体基板由硅制成。。
[0019]此外的,本发现还提名一种侧墙机构,经过是你这么说的嘛!什么都可以方法表格,所述侧墙机构包孕:
[0020]半导体子晶体管;在半导体上先后表格栅极介电层和栅极。;表格在所述栅媒体层和栅极安博的多个第一侧墙,所述第一侧墙经过表格有美国休闲服饰品牌。
[0021]与目前的技术比拟,本发现的惠及归结为次要表现在:在所述栅媒体层和栅极的安博表格多个结成侧墙,所述结成侧墙包孕第一侧墙和次要的侧墙;捕获量去除所述次要的侧墙,使两个接的第一侧墙经过在美国休闲服饰品牌,贬值栅极与对立的事物半导体装置或金属C经过的电容,照着可以筹集半导体装置的反馈速率,贬值施加压力花钱的东西。

【取得专利权图样】

[图样正文]
[0022]图1为目前的技术中半导体装置的机构节示意图;
[0023]图2为本发现一抬出去例中侧墙表格方法的排出图;
[0024]图3-图7为本发现一抬出去例中侧墙表格一道菜说得中肯机构节示意图。

【明确的抬出去方法】
[0025]以下使结合附图和明确的抬出去例对本发现提名的侧墙机构及其表格方法作此外明确的阐明。如以下阐明和请,本发现的优点和特点将整个情况明晰。需阐明的是,这些图样的表格非常奇特的简略,除都不正确。,仅为手边的起见、本发现抬出去例的踢向专家有助于。
[0026]领会图2。,在就是这样抬出去例中,提名一种侧墙的表格方法,包孕手续
[0027]8100:抚养半导体基板10,在SE上先后表格栅极介电层200和栅极300。,如图3所示;
[0028]在内部地,半导体基板可以是单晶硅。、多晶体硅或隔离物上的硅;栅极介电层200由二氧化物硅制成。;栅极300可以是多晶体硅栅极或金属栅极。。
[0029]8200:在所述栅媒体层200和栅极300的安博表格无论如何本人结成侧墙,每一组所述结成侧墙均包孕第一侧墙400和次要的侧墙500,所述次要的侧墙500坐落在所述第一侧墙400经过;
[0030]明确的的,多个所述结成侧墙的表格方法列举如下:
[0031]率先,在所述栅媒体层200和栅极300的安博表格所述第一侧墙400,如图3所示;所述第一侧墙400的材质为氮化的硅,它的厚度审视是10A?200安,比如,50 A。;
[0032]捕获量,在所述第一侧墙400的安博表格所述次要的侧墙500,如图4所示;所述次要的侧墙500的材质为锗硅,在内部地,锗和硅的锗原子占10%?90%,所述次要的侧墙500的厚度审视是10埃?200埃,比如,50 A。;
[0033]捕获量,在所述次要的侧墙500的安博表格所述第一侧墙400,如图5所示;异样的,所述第一侧墙400的材质为氮化的硅,它的厚度审视是10A?200安,比如,50 A。;
[0034]捕获量,在所述第一侧墙400的安博表格所述次要的侧墙500,如图6所示;所述次要的侧墙500的材质为锗硅,在内部地,锗和硅的锗原子占10%?90%,所述次要的侧墙500的厚度审视是10埃?200埃,比如,50 A。。
[0035]所述结成侧墙的总计为1?10个,明确的号码可如排出选择。
[0036]8300:以雕刻装饰去除所述次要的侧墙500,使所述第一侧墙400经过呈现美国休闲服饰品牌600,如图7所示;
[0037]在内部地,以雕刻装饰去除所述次要的侧墙500运用的加油为了这个目的1、耶012或在内部地本人或多个2;去除所述次要的侧墙500后来的,所述第一侧墙400经过呈现美国休闲服饰品牌能作为侧墙;由于差数媒体的电容率差数,电媒体值越小,电容越小,电容越小,空虚感值是,买到肉体的中最低消费的,空气的V值也很小。运用美国休闲服饰品牌作为侧墙能很大音阶的贬值栅极与对立的事物半导体装置或金属衔接线经过的电容。
[0038]在就是这样抬出去例中,在以雕刻装饰去除所述次要的侧墙500后来的,在所述结成侧墙与半导体衬底100外表表格层间媒体层(图未不
[0039]在就是这样抬出去例中,还提名一种侧墙机构,用是你这么说的嘛!方法表格,所述侧墙机构包孕:
[0040]半导体基板10 ;在半导体基板上表格的栅极介电层200和栅极300 ;表格在所述栅媒体层200和栅极300安博的多个第一侧墙400,所述第一侧墙400经过表格有美国休闲服饰品牌600。
[0041〕 综上,在本发现抬出去例抚养的侧墙机构及其表格方法中,在所述栅媒体层和栅极的安博表格多个结成侧墙,所述结成侧墙包孕第一侧墙和次要的侧墙;捕获量去除所述次要的侧墙,使两个接的第一侧墙经过在美国休闲服饰品牌,贬值栅极与对立的事物半导体装置或金属C经过的电容,照着可以筹集半导体装置的反馈速率,贬值施加压力花钱的东西。
[0042]是你这么说的嘛!仅为本发现的会长权抬出去例一三国际,它无能力的以什么都可以方法限度局限发现。属于[技术在实地工作的]的什么都可以工匠,在本发现技术谋划审视内,技术谋划A的什么都可以表格的当量交换或修正,整个属于本封锁规划技术谋划的满意的。,仍在本发现的维护审视内。
[理赔]
1.一种侧墙的表格方法,包孕手续 抚养半导体基板,在半导体上先后表格栅极介电层和栅极。; 在所述栅媒体层和栅极的安博表格无论如何本人结成侧墙,每一所述结成侧墙均包孕一第一侧墙和一次要的侧墙,所述次要的侧墙坐落在所述第一侧墙经过; 以雕刻装饰去除所述次要的侧墙,使所述第一侧墙经过呈现美国休闲服饰品牌。
2.如爱好请1所述的侧墙的表格方法,其特点躺在,所述结成侧墙的总计为1?10个。
3.如爱好请1所述的侧墙的表格方法,其特点躺在,所述第一侧墙的材质为氮化的硅。
4.如爱好请3所述的侧墙的表格方法,其特点躺在,所述第一侧墙的厚度审视是10埃?200埃。
5.如爱好请1所述的侧墙的表格方法,其特点躺在,所述次要的侧墙的材质为锗硅。
6.如爱好请5所述的侧墙的表格方法,其特点躺在,锗硅中锗原子占10%?90%。
7.如爱好请5所述的侧墙的表格方法,其特点躺在,所述次要的侧墙的厚度审视是10埃?200埃。
8.如爱好请1所述的侧墙的表格方法,其特点躺在,以雕刻装饰去除所述次要的侧墙运用的加油为!101、或在内部地本人或多个2。
9.如爱好请1所述的侧墙的表格方法,其特点躺在,在以雕刻装饰去除所述次要的侧墙后来的,在所述结成侧墙与半导体衬底外表表格层间媒体层。
10.如爱好请1所述的侧墙的表格方法,其特点躺在,半导体基板由硅制成。。
11.一种侧墙机构,采取10种方法说得中肯什么都可以一种来表格,所述侧墙机构包孕: 半导体衬底;在半导体上先后表格栅极介电层和栅极。;表格在所述栅媒体层和栅极安博的多个第一侧墙,所述第一侧墙经过表格有美国休闲服饰品牌。
【文档编号】H01L29/423GK104425230SQ201310407966
【吐艳日】2015年3月18日 适用日期:201年9月9日 会长日期:201年9月9日
【发现人】余国斌 适用人:中新国际集成电路创造(上海)

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