侧墙结构及其形成方法

侧墙构造及其构成方法

【取得专利权摘要】本发现打算一种侧墙构造及其构成方法,在所述栅代理的层和栅极的安博构成多个结成侧墙,所述结成侧墙包孕第一侧墙和第二份食物侧墙;被钩住去除所述第二份食物侧墙,使两个紧接着的的第一侧墙中间在片刻,降低质量栅极与那个半导体装置或金属C中间的电容,到这地步可以向前推半导体装置的回应经文率,降低质量施加压力亏损。

【取得专利权阐明】侧墙构造及其构成方法

【技术形成球体】
[0001]本发现关涉半导体创造形成球体,异乎寻常地关涉一种侧墙构造及其构成方法。

【背景幕布技术】
[0002]跟随半导体装置特点大量的继续降低质量,异样的事物区域内构成的知识大批做加法,因而,半导体装置中有时栅极A中间的电容。通常影响下,半导体装置的回应经文速率首要是鉴于栅极推延(11:6 061^7)和征象扩散推延06137),扩散推延也称为%推延,我?是秘密引线的阻力,外部代理的层构成的电容。跟随电容的做加法,半导体装置切中要害长推延,换句话说,半导体装置的回应经文率降低质量了,同时,电容越大,半导体装置的施加压力亏损越大。。
[0003]翻阅图1。,在目前的技术中,半导体装置构造包孕:半导体 ;半导体基板外面的构成的栅应用某物为燃料层20和栅30 ;构成于所述栅应用某物为燃料层20因此栅极30安博的侧墙40。
[0004]到站的,所述侧墙40的材质通常为氮化的硅,它的费用高级的,跟随半导体装置密度的做加法,半导体装置中有时栅极与衔接中间的电容,这么到何种地步减小电容,向前推半导体装置的回应经文率,降低质量施加压力亏损便译成本形成球体工匠急用处理的技术成绩。

【发现满意的】

[0005]本发现的作用躺在供一种侧墙构造及其构成方法,半导体装置中有时栅极与衔接件中间的电容减小。
[0006]成真前述的目的,本发现打算一种侧墙的构成方法,包孕试图贿赂
[0007]供半导体基板,在半导体上授权代理构成栅极介电层和栅极。;
[0008]在所述栅代理的层和栅极的安博构成至多少许人结成侧墙,每一所述结成侧墙均包孕一第一侧墙和一第二份食物侧墙,所述第二份食物侧墙就座所述第一侧墙中间;
[0009]锈蚀去除所述第二份食物侧墙,使所述第一侧墙中间呈现片刻。
[0010]而且的,在所述侧墙的构成方法中,所述结成侧墙的标号为1?10个。
[0011]而且的,在所述侧墙的构成方法中,所述第一侧墙的材质为氮化的硅。
[0012]而且的,在所述侧墙的构成方法中,所述第一侧墙的厚度排列是10埃?200埃。
[0013]而且的,在所述侧墙的构成方法中,所述第二份食物侧墙的材质为锗硅。
[0014]而且的,在所述侧墙的构成方法中,锗硅中锗原子占10%?90%。
[0015]而且的,在所述侧墙的构成方法中,所述第二份食物侧墙的厚度排列是10埃?200埃。
[0016]而且的,在所述侧墙的构成方法中,锈蚀去除所述第二份食物侧墙应用的毒为!101、至此为止、012或到站的少许人或多个2。
[0017]而且的,在所述侧墙的构成方法中,在锈蚀去除所述第二份食物侧墙过后,在所述结成侧墙因此半导体衬底外面的构成层间代理的层。
[0018]而且的,在所述侧墙的构成方法中,半导体基板由硅制成。。
[0019]而且的,本发现还打算一种侧墙构造,经过前述的少许方法构成,所述侧墙构造包孕:
[0020]半导体子晶体管;在半导体上授权代理构成栅极介电层和栅极。;构成在所述栅代理的层和栅极安博的多个第一侧墙,所述第一侧墙中间构成有片刻。
[0021]与目前的技术比拟,本发现的无益结果首要表现在:在所述栅代理的层和栅极的安博构成多个结成侧墙,所述结成侧墙包孕第一侧墙和第二份食物侧墙;被钩住去除所述第二份食物侧墙,使两个紧接着的的第一侧墙中间在片刻,降低质量栅极与那个半导体装置或金属C中间的电容,到这地步可以向前推半导体装置的回应经文率,降低质量施加压力亏损。

【取得专利权原本】

[原本正文]
[0022]图1为目前的技术中半导体装置的构造部分示意图;
[0023]图2为本发现一家具例中侧墙构成方法的流图;
[0024]图3-图7为本发现一家具例中侧墙构成处理切中要害构造部分示意图。

【细目家具方法】
[0025]以下接合的附图和细目家具例对本发现打算的侧墙构造及其构成方法作而且细目阐明。阵地以下阐明和索取,本发现的优点和特点将尽量的变清澈。需阐明的是,这些原本的齐式极端地复杂,衡量都不精确。,仅为适当的起见、本发现家具例的作用变清澈有助于。
[0026]翻阅图2。,在大约家具例中,打算一种侧墙的构成方法,包孕试图贿赂
[0027]8100:供半导体基板10,在SE上授权代理构成栅极介电层200和栅极300。,如图3所示;
[0028]到站的,半导体基板可以是单晶硅。、多晶体硅或隔离器上的硅;栅极介电层200由二应用某物为燃料硅制成。;栅极300可以是多晶体硅栅极或金属栅极。。
[0029]8200:在所述栅代理的层200和栅极300的安博构成至多少许人结成侧墙,每一组所述结成侧墙均包孕第一侧墙400和第二份食物侧墙500,所述第二份食物侧墙500就座所述第一侧墙400中间;
[0030]细目的,多个所述结成侧墙的构成方法列举如下:
[0031]率先,在所述栅代理的层200和栅极300的安博构成所述第一侧墙400,如图3所示;所述第一侧墙400的材质为氮化的硅,它的厚度排列是10A?200安,譬如,50 A。;
[0032]被钩住,在所述第一侧墙400的安博构成所述第二份食物侧墙500,如图4所示;所述第二份食物侧墙500的材质为锗硅,到站的,锗和硅的锗原子占10%?90%,所述第二份食物侧墙500的厚度排列是10埃?200埃,譬如,50 A。;
[0033]被钩住,在所述第二份食物侧墙500的安博构成所述第一侧墙400,如图5所示;异样的,所述第一侧墙400的材质为氮化的硅,它的厚度排列是10A?200安,譬如,50 A。;
[0034]被钩住,在所述第一侧墙400的安博构成所述第二份食物侧墙500,如图6所示;所述第二份食物侧墙500的材质为锗硅,到站的,锗和硅的锗原子占10%?90%,所述第二份食物侧墙500的厚度排列是10埃?200埃,譬如,50 A。。
[0035]所述结成侧墙的标号为1?10个,细目号码可阵地流选择。
[0036]8300:锈蚀去除所述第二份食物侧墙500,使所述第一侧墙400中间呈现片刻600,如图7所示;
[0037]到站的,锈蚀去除所述第二份食物侧墙500应用的毒以此1、耶012或到站的少许人或多个2;去除所述第二份食物侧墙500过后,所述第一侧墙400中间呈现片刻能作为侧墙;由于不一样代理的的介电系数不一样,电代理的值越小,电容越小,电容越小,用真空吸尘器清扫值是,整个现金中最低的的,空气的V值也很小。应用片刻作为侧墙能很大水准的降低质量栅极与那个半导体装置或金属衔接线中间的电容。
[0038]在大约家具例中,在锈蚀去除所述第二份食物侧墙500过后,在所述结成侧墙因此半导体衬底100外面的构成层间代理的层(图未不
[0039]在大约家具例中,还打算一种侧墙构造,用前述的方法构成,所述侧墙构造包孕:
[0040]半导体基板10 ;在半导体基板上构成的栅极介电层200和栅极300 ;构成在所述栅代理的层200和栅极300安博的多个第一侧墙400,所述第一侧墙400中间构成有片刻600。
[0041〕 综上,在本发现家具例供的侧墙构造及其构成方法中,在所述栅代理的层和栅极的安博构成多个结成侧墙,所述结成侧墙包孕第一侧墙和第二份食物侧墙;被钩住去除所述第二份食物侧墙,使两个紧接着的的第一侧墙中间在片刻,降低质量栅极与那个半导体装置或金属C中间的电容,到这地步可以向前推半导体装置的回应经文率,降低质量施加压力亏损。
[0042]前述的仅为本发现的偏爱家具例罢了,它无能力的以少许方法限度局限发现。属于[技术形成球体]的少许工匠,在本发现技术计划排列内,技术计划A的少许齐式的等价的交换或修正,整个属于本覆盖突出技术计划的满意的。,仍在本发现的防护装置排列内。
[索取者]
1.一种侧墙的构成方法,包孕试图贿赂 供半导体基板,在半导体上授权代理构成栅极介电层和栅极。; 在所述栅代理的层和栅极的安博构成至多少许人结成侧墙,每一所述结成侧墙均包孕一第一侧墙和一第二份食物侧墙,所述第二份食物侧墙就座所述第一侧墙中间; 锈蚀去除所述第二份食物侧墙,使所述第一侧墙中间呈现片刻。
2.如趣味索取1所述的侧墙的构成方法,其特点躺在,所述结成侧墙的标号为1?10个。
3.如趣味索取1所述的侧墙的构成方法,其特点躺在,所述第一侧墙的材质为氮化的硅。
4.如趣味索取3所述的侧墙的构成方法,其特点躺在,所述第一侧墙的厚度排列是10埃?200埃。
5.如趣味索取1所述的侧墙的构成方法,其特点躺在,所述第二份食物侧墙的材质为锗硅。
6.如趣味索取5所述的侧墙的构成方法,其特点躺在,锗硅中锗原子占10%?90%。
7.如趣味索取5所述的侧墙的构成方法,其特点躺在,所述第二份食物侧墙的厚度排列是10埃?200埃。
8.如趣味索取1所述的侧墙的构成方法,其特点躺在,锈蚀去除所述第二份食物侧墙应用的毒为!101、或到站的少许人或多个2。
9.如趣味索取1所述的侧墙的构成方法,其特点躺在,在锈蚀去除所述第二份食物侧墙过后,在所述结成侧墙因此半导体衬底外面的构成层间代理的层。
10.如趣味索取1所述的侧墙的构成方法,其特点躺在,半导体基板由硅制成。。
11.一种侧墙构造,采取10种方法切中要害少许一种来构成,所述侧墙构造包孕: 半导体衬底;在半导体上授权代理构成栅极介电层和栅极。;构成在所述栅代理的层和栅极安博的多个第一侧墙,所述第一侧墙中间构成有片刻。
【文档编号】H01L29/423GK104425230SQ201310407966
【吐艳日】2015年3月18日 涂日期:201年9月9日 会长日期:201年9月9日
【发现人】余国斌 涂人:中新国际集成电路创造(上海)

发表评论

电子邮件地址不会被公开。 必填项已用*标注