侧墙结构及其形成方法

侧墙建筑学及其构成办法

【取得专利权摘要】本发明才能现在一种侧墙建筑学及其构成办法,在所述栅媒质层和栅极的安博构成多个结成侧墙,所述结成侧墙包孕第一侧墙和瞬间侧墙;纷纷去除所述瞬间侧墙,使两个接界的第一侧墙经过在空白,压低栅极与以此类推半导体装置或金属C经过的电容,于是可以预付款半导体装置的反射率,压低迫使浪费。

【取得专利权阐明】侧墙建筑学及其构成办法

【技术领地】
[0001]本发明才能触及半导体创造领地,尤其地触及一种侧墙建筑学及其构成办法。

【上下文技术】
[0002]跟随半导体装置特点浆糊的继续压低,异样的人区域内构成的手段量提高某人的地位,于是,半导体装置经过或栅极A经过的电容。通常经济状况下,半导体装置的反射速率次要是鉴于栅极推延(11:6 061^7)和受雇杀人的枪手展开推延06137),展开推延也称为%推延,我?是金银丝织品的阻力,乳房媒质层构成的电容。跟随电容的提高某人的地位,半导体装置正中鹄的长推延,就是说,半导体装置的反射率压低了,同时,电容越大,半导体装置的迫使浪费越大。。
[0003]提及图1。,在持续存在技术中,半导体装置建筑学包孕:半导体 ;半导体基板外部构成的栅使生锈层20和栅30 ;构成于所述栅使生锈层20因此栅极30安博的侧墙40。
[0004]带着,所述侧墙40的材质通常为充氮硅,它的等于高地的,跟随半导体装置密度的提高某人的地位,半导体装置经过或栅极与衔接经过的电容,这么到何种地步减小电容,预付款半导体装置的反射率,压低迫使浪费便相当本领地工匠迫使处理的技术成绩。

【发明才能容量】

[0005]本发明才能的终点取决于抚养一种侧墙建筑学及其构成办法,半导体装置经过或栅极与衔接件经过的电容减小。
[0006]完成前述的目的,本发明才能现在一种侧墙的构成办法,包孕方法
[0007]抚养半导体基板,在半导体上移交构成栅极介电层和栅极。;
[0008]在所述栅媒质层和栅极的安博构成无论如何独一结成侧墙,每一所述结成侧墙均包孕一第一侧墙和一瞬间侧墙,所述瞬间侧墙说出来源所述第一侧墙经过;
[0009]受腐蚀的部位去除所述瞬间侧墙,使所述第一侧墙经过呈现空白。
[0010]更远地的,在所述侧墙的构成办法中,所述结成侧墙的数字为1?10个。
[0011]更远地的,在所述侧墙的构成办法中,所述第一侧墙的材质为充氮硅。
[0012]更远地的,在所述侧墙的构成办法中,所述第一侧墙的厚度审视是10埃?200埃。
[0013]更远地的,在所述侧墙的构成办法中,所述瞬间侧墙的材质为锗硅。
[0014]更远地的,在所述侧墙的构成办法中,锗硅中锗原子占10%?90%。
[0015]更远地的,在所述侧墙的构成办法中,所述瞬间侧墙的厚度审视是10埃?200埃。
[0016]更远地的,在所述侧墙的构成办法中,受腐蚀的部位去除所述瞬间侧墙运用的气态流体为!101、至某一健康状况如何、012或带着独一或多个2。
[0017]更远地的,在所述侧墙的构成办法中,在受腐蚀的部位去除所述瞬间侧墙以后,在所述结成侧墙因此半导体衬底外部构成层间媒质层。
[0018]更远地的,在所述侧墙的构成办法中,半导体基板由硅制成。。
[0019]更远地的,本发明才能还现在一种侧墙建筑学,经过前述的任何的办法构成,所述侧墙建筑学包孕:
[0020]半导体子晶体管;在半导体上移交构成栅极介电层和栅极。;构成在所述栅媒质层和栅极安博的多个第一侧墙,所述第一侧墙经过构成有空白。
[0021]与持续存在技术相形,本发明才能的惠及产生次要表现在:在所述栅媒质层和栅极的安博构成多个结成侧墙,所述结成侧墙包孕第一侧墙和瞬间侧墙;纷纷去除所述瞬间侧墙,使两个接界的第一侧墙经过在空白,压低栅极与以此类推半导体装置或金属C经过的电容,于是可以预付款半导体装置的反射率,压低迫使浪费。

【取得专利权拉】

[拉正文]
[0022]图1为持续存在技术中半导体装置的建筑学人物简介示意图;
[0023]图2为本发明才能一履行例中侧墙构成办法的诉讼程序图;
[0024]图3-图7为本发明才能一履行例中侧墙构成折术正中鹄的建筑学人物简介示意图。

【详述的履行办法】
[0025]以下用联合收割机收割附图和详述的履行例对本发明才能现在的侧墙建筑学及其构成办法作更远地详述的阐明。争辩以下阐明和请求,本发明才能的优点和特点将各种的清楚的。需阐明的是,这些拉的体现十足的简略,面积都不正确。,仅为近便的起见、本发明才能履行例的终点明白的有助于。
[0026]拜见图2。,在因此履行例中,现在一种侧墙的构成办法,包孕方法
[0027]8100:抚养半导体基板10,在SE上移交构成栅极介电层200和栅极300。,如图3所示;
[0028]带着,半导体基板可以是单晶硅。、多晶体硅或隔电子上的硅;栅极介电层200由二使生锈硅制成。;栅极300可以是多晶体硅栅极或金属栅极。。
[0029]8200:在所述栅媒质层200和栅极300的安博构成无论如何独一结成侧墙,每一组所述结成侧墙均包孕第一侧墙400和瞬间侧墙500,所述瞬间侧墙500说出来源所述第一侧墙400经过;
[0030]详述的的,多个所述结成侧墙的构成办法列举如下:
[0031]率先,在所述栅媒质层200和栅极300的安博构成所述第一侧墙400,如图3所示;所述第一侧墙400的材质为充氮硅,它的厚度审视是10A?200安,诸如,50 A。;
[0032]纷纷,在所述第一侧墙400的安博构成所述瞬间侧墙500,如图4所示;所述瞬间侧墙500的材质为锗硅,带着,锗和硅的锗原子占10%?90%,所述瞬间侧墙500的厚度审视是10埃?200埃,诸如,50 A。;
[0033]纷纷,在所述瞬间侧墙500的安博构成所述第一侧墙400,如图5所示;异样的,所述第一侧墙400的材质为充氮硅,它的厚度审视是10A?200安,诸如,50 A。;
[0034]纷纷,在所述第一侧墙400的安博构成所述瞬间侧墙500,如图6所示;所述瞬间侧墙500的材质为锗硅,带着,锗和硅的锗原子占10%?90%,所述瞬间侧墙500的厚度审视是10埃?200埃,诸如,50 A。。
[0035]所述结成侧墙的数字为1?10个,详述的号码可争辩诉讼程序选择。
[0036]8300:受腐蚀的部位去除所述瞬间侧墙500,使所述第一侧墙400经过呈现空白600,如图7所示;
[0037]带着,受腐蚀的部位去除所述瞬间侧墙500运用的气态流体职此之故1、耶012或带着独一或多个2;去除所述瞬间侧墙500以后,所述第一侧墙400经过呈现空白能作为侧墙;因不相同媒质的介电系数不相同,电媒质值越小,电容越小,电容越小,空虚值是,持有布中最低消费的,空气的V值也很小。运用空白作为侧墙能很大健康状况如何的压低栅极与以此类推半导体装置或金属衔接线经过的电容。
[0038]在因此履行例中,在受腐蚀的部位去除所述瞬间侧墙500以后,在所述结成侧墙因此半导体衬底100外部构成层间媒质层(图未不
[0039]在因此履行例中,还现在一种侧墙建筑学,用前述的办法构成,所述侧墙建筑学包孕:
[0040]半导体基板10 ;在半导体基板上构成的栅极介电层200和栅极300 ;构成在所述栅媒质层200和栅极300安博的多个第一侧墙400,所述第一侧墙400经过构成有空白600。
[0041〕 综上,在本发明才能履行例抚养的侧墙建筑学及其构成办法中,在所述栅媒质层和栅极的安博构成多个结成侧墙,所述结成侧墙包孕第一侧墙和瞬间侧墙;纷纷去除所述瞬间侧墙,使两个接界的第一侧墙经过在空白,压低栅极与以此类推半导体装置或金属C经过的电容,于是可以预付款半导体装置的反射率,压低迫使浪费。
[0042]前述的仅为本发明才能的受会长偿还的使加入履行例罢了,它将不会以任何的方法限度局限发明才能。属于[技术领地]的任何的工匠,在本发明才能技术训练审视内,技术训练A的任何的体现的对等物掉换或修正,整个属于本花费发射技术训练的容量。,仍在本发明才能的安全设施审视内。
[理赔]
1.一种侧墙的构成办法,包孕方法 抚养半导体基板,在半导体上移交构成栅极介电层和栅极。; 在所述栅媒质层和栅极的安博构成无论如何独一结成侧墙,每一所述结成侧墙均包孕一第一侧墙和一瞬间侧墙,所述瞬间侧墙说出来源所述第一侧墙经过; 受腐蚀的部位去除所述瞬间侧墙,使所述第一侧墙经过呈现空白。
2.如使加入请求1所述的侧墙的构成办法,其特点取决于,所述结成侧墙的数字为1?10个。
3.如使加入请求1所述的侧墙的构成办法,其特点取决于,所述第一侧墙的材质为充氮硅。
4.如使加入请求3所述的侧墙的构成办法,其特点取决于,所述第一侧墙的厚度审视是10埃?200埃。
5.如使加入请求1所述的侧墙的构成办法,其特点取决于,所述瞬间侧墙的材质为锗硅。
6.如使加入请求5所述的侧墙的构成办法,其特点取决于,锗硅中锗原子占10%?90%。
7.如使加入请求5所述的侧墙的构成办法,其特点取决于,所述瞬间侧墙的厚度审视是10埃?200埃。
8.如使加入请求1所述的侧墙的构成办法,其特点取决于,受腐蚀的部位去除所述瞬间侧墙运用的气态流体为!101、或带着独一或多个2。
9.如使加入请求1所述的侧墙的构成办法,其特点取决于,在受腐蚀的部位去除所述瞬间侧墙以后,在所述结成侧墙因此半导体衬底外部构成层间媒质层。
10.如使加入请求1所述的侧墙的构成办法,其特点取决于,半导体基板由硅制成。。
11.一种侧墙建筑学,采取10种办法正中鹄的任何的一种来构成,所述侧墙建筑学包孕: 半导体衬底;在半导体上移交构成栅极介电层和栅极。;构成在所述栅媒质层和栅极安博的多个第一侧墙,所述第一侧墙经过构成有空白。
【文档编号】H01L29/423GK104425230SQ201310407966
【吐艳日】2015年3月18日 适用日期:201年9月9日 会长日期:201年9月9日
【发明才能人】余国斌 适用人:中新国际集成电路创造(上海)

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