侧墙结构及其形成方法

侧墙构造及其身材办法

【取得专利权摘要】本想出的办法提名一种侧墙构造及其身材办法,在所述栅培养基层和栅极的安博身材多个结成侧墙,所述结成侧墙包含第一侧墙和居第二位的侧墙;隐情去除所述居第二位的侧墙,使两个邻近的的第一侧墙暗中在空间,驳倒栅极与另一边半导体装置或金属C暗切中要害电容,所以可以加强半导体装置的反映速率,驳倒矛盾破财。

【取得专利权阐明】侧墙构造及其身材办法

【技术界】
[0001]本想出的办法触及半导体创造界,格外地触及一种侧墙构造及其身材办法。

【放技术】
[0002]跟随半导体装置特点浆糊的继续驳倒,同卵双胞区域内身材的装置数目吹捧,乃,半导体装置暗中或栅极A暗切中要害电容。通常境遇下,半导体装置的反映速率首要是鉴于栅极推延(11:6 061^7)和记号增殖推延06137),增殖推延也称为%推延,我?是金属箔的抗力,本质上的培养基层身材的电容。跟随电容的吹捧,半导体装置切中要害长推延,更确切地说,半导体装置的反映速率驳倒了,同时,电容越大,半导体装置的矛盾破财越大。。
[0003]引用图1。,在持续存在技术中,半导体装置构造包含:半导体 ;半导体基板外表身材的栅发热的层20和栅30 ;身材于所述栅发热的层20随着栅极30安博的侧墙40。
[0004]内侧的,所述侧墙40的材质通常为氮化的硅,它的付出代价上级的,跟随半导体装置密度的吹捧,半导体装置暗中或栅极与衔接暗切中要害电容,这么方法减小电容,加强半导体装置的反映速率,驳倒矛盾破财便变得本界工匠精确的处理的技术成绩。

【想出的办法心甘情愿的】

[0005]本想出的办法的宾语躺在供给一种侧墙构造及其身材办法,半导体装置暗中或栅极与衔接件暗切中要害电容减小。
[0006]取得前述的目的,本想出的办法提名一种侧墙的身材办法,包含工序
[0007]供给半导体基板,在半导体上移交身材栅极介电层和栅极。;
[0008]在所述栅培养基层和栅极的安博身材无论如何人家结成侧墙,每一所述结成侧墙均包含一第一侧墙和一居第二位的侧墙,所述居第二位的侧墙位置所述第一侧墙暗中;
[0009]锈蚀去除所述居第二位的侧墙,使所述第一侧墙暗中呈现空间。
[0010]更多的或附加的人或事物的,在所述侧墙的身材办法中,所述结成侧墙的数量为1?10个。
[0011]更多的或附加的人或事物的,在所述侧墙的身材办法中,所述第一侧墙的材质为氮化的硅。
[0012]更多的或附加的人或事物的,在所述侧墙的身材办法中,所述第一侧墙的厚度见识是10埃?200埃。
[0013]更多的或附加的人或事物的,在所述侧墙的身材办法中,所述居第二位的侧墙的材质为锗硅。
[0014]更多的或附加的人或事物的,在所述侧墙的身材办法中,锗硅中锗原子占10%?90%。
[0015]更多的或附加的人或事物的,在所述侧墙的身材办法中,所述居第二位的侧墙的厚度见识是10埃?200埃。
[0016]更多的或附加的人或事物的,在所述侧墙的身材办法中,锈蚀去除所述居第二位的侧墙运用的毒为!101、至此为止、012或内侧的人家或多个2。
[0017]更多的或附加的人或事物的,在所述侧墙的身材办法中,在锈蚀去除所述居第二位的侧墙继,在所述结成侧墙随着半导体衬底外表身材层间培养基层。
[0018]更多的或附加的人或事物的,在所述侧墙的身材办法中,半导体基板由硅制成。。
[0019]更多的或附加的人或事物的,本想出的办法还提名一种侧墙构造,经过前述的无论什么办法身材,所述侧墙构造包含:
[0020]半导体子晶体管;在半导体上移交身材栅极介电层和栅极。;身材在所述栅培养基层和栅极安博的多个第一侧墙,所述第一侧墙暗中身材有空间。
[0021]与持续存在技术相形,本想出的办法的无益终结首要表现在:在所述栅培养基层和栅极的安博身材多个结成侧墙,所述结成侧墙包含第一侧墙和居第二位的侧墙;隐情去除所述居第二位的侧墙,使两个邻近的的第一侧墙暗中在空间,驳倒栅极与另一边半导体装置或金属C暗切中要害电容,所以可以加强半导体装置的反映速率,驳倒矛盾破财。

【取得专利权图样】

[图样正文]
[0022]图1为持续存在技术中半导体装置的构造部门示意图;
[0023]图2为本想出的办法一实行例中侧墙身材办法的程序图;
[0024]图3-图7为本想出的办法一实行例中侧墙身材手续切中要害构造部门示意图。

【复杂的实行办法】
[0025]以下接合的附图和复杂的实行例对本想出的办法提名的侧墙构造及其身材办法作更多的或附加的人或事物复杂的阐明。如以下阐明和询问,本想出的办法的优点和特点将整个地清澈的。需阐明的是,这些图样的电视节目的总安排异乎寻常的复杂,测量都不精确。,仅为便利起见、本想出的办法实行例的宾语敏锐的有助于。
[0026]充当顾问图2。,在左右实行例中,提名一种侧墙的身材办法,包含工序
[0027]8100:供给半导体基板10,在SE上移交身材栅极介电层200和栅极300。,如图3所示;
[0028]内侧的,半导体基板可以是单晶硅。、多晶体硅或隔离物上的硅;栅极介电层200由二发热的硅制成。;栅极300可以是多晶体硅栅极或金属栅极。。
[0029]8200:在所述栅培养基层200和栅极300的安博身材无论如何人家结成侧墙,每一组所述结成侧墙均包含第一侧墙400和居第二位的侧墙500,所述居第二位的侧墙500位置所述第一侧墙400暗中;
[0030]复杂的的,多个所述结成侧墙的身材办法列举如下:
[0031]率先,在所述栅培养基层200和栅极300的安博身材所述第一侧墙400,如图3所示;所述第一侧墙400的材质为氮化的硅,它的厚度见识是10A?200安,比如,50 A。;
[0032]隐情,在所述第一侧墙400的安博身材所述居第二位的侧墙500,如图4所示;所述居第二位的侧墙500的材质为锗硅,内侧的,锗和硅的锗原子占10%?90%,所述居第二位的侧墙500的厚度见识是10埃?200埃,比如,50 A。;
[0033]隐情,在所述居第二位的侧墙500的安博身材所述第一侧墙400,如图5所示;异样的,所述第一侧墙400的材质为氮化的硅,它的厚度见识是10A?200安,比如,50 A。;
[0034]隐情,在所述第一侧墙400的安博身材所述居第二位的侧墙500,如图6所示;所述居第二位的侧墙500的材质为锗硅,内侧的,锗和硅的锗原子占10%?90%,所述居第二位的侧墙500的厚度见识是10埃?200埃,比如,50 A。。
[0035]所述结成侧墙的数量为1?10个,复杂的号码可如程序选择。
[0036]8300:锈蚀去除所述居第二位的侧墙500,使所述第一侧墙400暗中呈现空间600,如图7所示;
[0037]内侧的,锈蚀去除所述居第二位的侧墙500运用的毒为了这个目的1、耶012或内侧的人家或多个2;去除所述居第二位的侧墙500继,所述第一侧墙400暗中呈现空间能作为侧墙;因确切的培养基的介电系数确切的,电培养基值越小,电容越小,电容越小,空缺着的值是,一切填塞中极小值的,空气的V值也很小。运用空间作为侧墙能很大音阶的驳倒栅极与另一边半导体装置或金属衔接线暗切中要害电容。
[0038]在左右实行例中,在锈蚀去除所述居第二位的侧墙500继,在所述结成侧墙随着半导体衬底100外表身材层间培养基层(图未不
[0039]在左右实行例中,还提名一种侧墙构造,用前述的办法身材,所述侧墙构造包含:
[0040]半导体基板10 ;在半导体基板上身材的栅极介电层200和栅极300 ;身材在所述栅培养基层200和栅极300安博的多个第一侧墙400,所述第一侧墙400暗中身材有空间600。
[0041〕 综上,在本想出的办法实行例供给的侧墙构造及其身材办法中,在所述栅培养基层和栅极的安博身材多个结成侧墙,所述结成侧墙包含第一侧墙和居第二位的侧墙;隐情去除所述居第二位的侧墙,使两个邻近的的第一侧墙暗中在空间,驳倒栅极与另一边半导体装置或金属C暗切中要害电容,所以可以加强半导体装置的反映速率,驳倒矛盾破财。
[0042]前述的仅为本想出的办法的偏爱的事物实行例便了,它不能的以无论什么方法限度局限想出的办法。属于[技术界]的无论什么工匠,在本想出的办法技术图谋见识内,技术图谋A的无论什么电视节目的总安排的等效的交换或修正,整个属于本值得买的东西同上技术图谋的心甘情愿的。,仍在本想出的办法的警惕见识内。
[原告]
1.一种侧墙的身材办法,包含工序 供给半导体基板,在半导体上移交身材栅极介电层和栅极。; 在所述栅培养基层和栅极的安博身材无论如何人家结成侧墙,每一所述结成侧墙均包含一第一侧墙和一居第二位的侧墙,所述居第二位的侧墙位置所述第一侧墙暗中; 锈蚀去除所述居第二位的侧墙,使所述第一侧墙暗中呈现空间。
2.如合适的询问1所述的侧墙的身材办法,其特点躺在,所述结成侧墙的数量为1?10个。
3.如合适的询问1所述的侧墙的身材办法,其特点躺在,所述第一侧墙的材质为氮化的硅。
4.如合适的询问3所述的侧墙的身材办法,其特点躺在,所述第一侧墙的厚度见识是10埃?200埃。
5.如合适的询问1所述的侧墙的身材办法,其特点躺在,所述居第二位的侧墙的材质为锗硅。
6.如合适的询问5所述的侧墙的身材办法,其特点躺在,锗硅中锗原子占10%?90%。
7.如合适的询问5所述的侧墙的身材办法,其特点躺在,所述居第二位的侧墙的厚度见识是10埃?200埃。
8.如合适的询问1所述的侧墙的身材办法,其特点躺在,锈蚀去除所述居第二位的侧墙运用的毒为!101、或内侧的人家或多个2。
9.如合适的询问1所述的侧墙的身材办法,其特点躺在,在锈蚀去除所述居第二位的侧墙继,在所述结成侧墙随着半导体衬底外表身材层间培养基层。
10.如合适的询问1所述的侧墙的身材办法,其特点躺在,半导体基板由硅制成。。
11.一种侧墙构造,采取10种办法切中要害无论什么一种来身材,所述侧墙构造包含: 半导体衬底;在半导体上移交身材栅极介电层和栅极。;身材在所述栅培养基层和栅极安博的多个第一侧墙,所述第一侧墙暗中身材有空间。
【文档编号】H01L29/423GK104425230SQ201310407966
【吐艳日】2015年3月18日 适合日期:201年9月9日 高音的日期:201年9月9日
【想出的办法人】余国斌 适合人:中新国际集成电路创造(上海)

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